SK하이닉스가 D램 양산에 극자외선(EUV) 장비를 본격 적용했다. 10나노급 4세대(1a) D램을 EUV 공정으로 양산했다고 12일 밝혔다. 이번 신제품은 하반기부터 스마트폰 제조사에 공급될 예정이다.
SK하이닉스가 D램 양산에 EUV 공정을 적용한 건 이번이 첫 사례다. 앞서 회사는 2세대(1y) 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입해 안전성을 확인한 바 있다. D램 양산에 본격 EUV 장비가 적용되면서 메모리 반도체에 인공지능(AI) 엔진을 탑재한 '차세대 D램' 개발에도 속도가 붙을 것으로 예상된다.
EUV는 극자외선을 활용해 빛을 투사하는 노광 기술이다. 극자외선 광원으로 웨이퍼에 반도체 회로를 새긴다. 기존 불화아르곤(ArF) 공정보다 10배 이상 더 세밀한 회로 구현이 가능하다. AI·5G·자율주행 등에 필요한 최첨단 고성능·저전력·초소형 반도체를 만드는 필수 기술로 손꼽힌다.
SK하이닉스는 EUV 공정 적용이 생산성 향상으로 이어져 원가 경쟁력을 높일 수 있다고 밝혔다. 1a D램은 EUV 적용으로 이전 세대(1z) 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 25% 늘어났다.
전력 소비도 줄였다. 회사는 이번 신제품이 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4266Mbps)를 안정적으로 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 줄였다고 밝혔다. 회사 측은 줄어든 전력 소비만큼 탄소 배출이 감소돼 ESG 경영 관점에도 의미가 있다고 설명했다.
SK하이닉스는 이번 LPDDR4 제품에 이어, 지난해 10월 세계 최초로 출시한 차세대 D램인 DDR5에는 내년 초부터 1a 기술을 적용할 계획이다.
조영만 SK하이닉스 1a D램 TF장 부사장은 "이번 1a D램은 생산성과 원가경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품"이라며 "EUV를 양산에 본격 적용함으로써 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서의 위상을 공고히 할 수 있을 것"이라고 밝혔다.
1a D램은 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)에 이은 4세대 기술이다. 반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있다.
AI타임스 김동원 기자 goodtuna@aitimes.com
